| 講演要旨(和文) | | IP効果がある場合の定性的な特徴を把握するため，二層構造の二層目にコール・コールパラメータを与えたモデルを使ったシミュレーションを実施した．その結果，磁束密度や見掛比抵抗の過渡応答に，不連続な変化が現れることがわかった．また，磁束密度の極性変化に着目することで，IP効果の有無や，IP効果の出現時間が明瞭に検出できることがわかった．今後は，さらに多くのシミュレーションを実施し，個々のコール・コールパラメータが磁束密度の過渡応答や見掛比抵抗曲線に及ぼす影響を把握する予定である．また，今回開発したTEM法の1次元インバージョンプログラムを使って，IP効果を含む二層モデルのインバージョンを行なった結果，比抵抗・層厚とともにIP効果の重要なパラメータである充電率や時定数も同時に精度よく求められることがわかった． |
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| | 講演要旨(英文) | | In order to analyze TEM data which includes IP effect, we developed a 1-D forward program to calculate apparent resistivity using Brent method which is a kind of nonlinear solver. The program can handle the Cole-Cole parameters which are chargeability, time constant and frequency exponent. A new parameter called polarity which represents the positive/negative sign of apparent resistivity for IP effect was incorporated. We also developed a 1-D inversion program to estimate resistivity and the Cole-Cole parameters simultaneously. Some examples of 1-D TEM simulation were presented in this paper. Additionally, an example of 1-D TEM inversion was presented. |
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